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派恩杰作为领先的MOSFET量产公司被国际知名专利分析网站“单独点名”

发布时间:2016-04-20

派恩杰作为领先的MOSFET量产公司被国际知名专利分析网站“单独点名”

最懂碳化硅的 派恩杰半导体 2022-06-02 11:05 发表于浙江

前言

在几家造车新势力高调推出搭载碳化硅芯片模组的主驱逆变器大功率平台电动汽车后,中国功率半导体上车进程开始进入白热化,电车厂纷纷加快碳化硅模块的研发及布局。

 

目前国产碳化硅芯片最大的市场来自于OBC(车载充电器),车载空调压缩机及主驱逆变器中。但在主驱逆变器上,国产碳化硅芯片依旧是一块空白市场。为顺利推动碳化硅主驱逆变器“上车”,几家大厂不约而同采用“先进口保产,后国产替代”的路线。但由于国际市场上大功率芯片严重紧缺,再加上国际局势的收紧,“国产替代”已成为大众共识。为了保证未来的电车能顺利使用国产芯片,各汽车厂已经开始紧锣密鼓的测试国产碳化硅芯片,以用于主驱逆变器。然而,国产碳化硅想要能够成功应用,还要经过若干年的车规级认证。

 

派恩杰创立初始,便坚信未来碳化硅的主要用量爆发点是新能源汽车领域。率先与拥有30年车规经验的X-Fab形成战略合作,专注研发应用于OBC(车载充电器)及主驱逆变器车规级MOSFET芯片。经2年的研发,成为国内第一家量产车规级碳化硅MOSFET芯片的公司。截至2021年,派恩杰的碳化硅芯片已成功量产出货,并应用于国产及海外电动汽车OBC。

 

专利布局和专利申请数量能从某种程度上反映当前各个碳化硅器件公司的状态。近日,国际知名专利及学术期刊分析网站KnowMade.com针对全世界碳化硅专利布局发布了几份分析报告,让我们一起来看下他们都说了什么:

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碳化硅专利支撑起中国国产全产业链的崛起

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第一份是由法国Sophia-Antipolis发布于2022年1月20日的报告—— Silicon Carbide (SiC) patents support the emergence of a complete domestic supply chain in China。  “碳化硅专利支撑起中国国产全产业链的崛起“。

 

原文链接:https://www.knowmade.com/press-release/news-power/press-release-news-power-silicon-carbide-sic-patents-support-the-emergence-of-a-complete-domestic-supply-chain-in-china/

 

报告指出,碳化硅在汽车领域中占据越来越重要的地位,快充更是离不开碳化硅的参与。

 

报告还提到,据麦肯锡中国分析,中国已成为全球最大的电动车市场,并将会在2020年至2030间呈现24%的年增长。因此,中国市场成为ST,Wolfspeed,罗姆,英飞凌,安森美以及三菱的主要目标,他们总共占据了世界80%的市场份额。另外在政府扶持政策的推动作用下,中国碳化硅和氮化镓芯片产业的迅速蓬勃终将会迎来自给自足的一天。

 

Knowmade作为一家多年来跟踪碳化硅专利情况的公司,将近期的研究重点放在改变中国新兴碳化硅供应链的中国企业上。 

 

碳化硅专利布局在过去20年一度被日本公司,例如三菱,富士,丰田及住友占据大头。但是,近年来以日本企业为中心的传统企业的IP获取数量逐步减少,取而代之的Intel、中国的新兴企业等的专利数量不断增加。

 

中国的专利申请在2010年左右开始起步,在过去十年得到了爆发式增长,呈现出IP申请的领军状态,并持续发力,而日本的专利申请于2013年进入平台期。从整体上看,中国的专利申请平均分布在材料与功率器件之间,大约一半与SiC材料相关的发明集中于SiC生长的设备和工具上,这说明中国的碳化硅材料还在最初的探索和第一步挑战中——与硅生长技术不同,碳化硅生长技术没有统一的标准生长炉,这是所有新入场碳化硅裸晶圆业务的公司都会面临的第一个技术挑战和障碍。

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报告中出具了一幅全产业链图片,并加以赘述。其中派恩杰作为国产碳化硅芯片的领先设计公司,被报告重点关注。报告介绍,派恩杰作为一家新设计公司,由北卡罗来纳州立大学校友创立,在此处,文章用“remarkable”(非凡的,引人注目的)这个单词来形容派恩杰2019年成功申请的第一个专利。不过有一处需要更正,文中指出派恩杰于2021年量产,实际情况是派恩杰已于2020年成功量产650v 碳化硅MOSFET,2021年拿到车厂千万订单,标志着国产碳化硅正式开始加入这个游戏。

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报告提到,总体来说,中国的碳化硅MOSFETs申请数量是碳化硅二极管的两倍,反映出由于栅极氧化物结构的问题,开发可靠的碳化硅MOSFET非常艰难。并且通过各大龙头碳化硅公司的专利布局可以验证这点——除了三安和NCE,他们主要的专利布局都在二极管上。有趣的是,在比较了碳化硅金锭和外延片方面的专利情况,在器件,模块及电路领域,中国知识产权参与者之间的合作网络更加密集,尤其是研究机构和行业参与者之间。

 

近年来,中国专利申请主要来自于模块及电路领域,虽然此项活动从2015年才起步,却已经拥有超过800份发明。这也得益于中国的碳化硅专利发明与学校的紧密合作。

 

最后,文章总结到,中国正在加速专利布局,以支持碳化硅技术的发展,更重要的是支持形成完整的国内供应链并确保产品线的安全。中国专利申请人覆盖整个供应链,包括各个细分领域都有相对成熟的IP参与者,中国企业将更注重提高碳化硅国产渗透率。中国的碳化硅产商也得到了几家受美国限制严重打击的厂商支持,例如华为。他们充分布局了国内碳化硅供应链条的几家厂商,来确保其未来的碳化硅供应。

 

在此背景下,中国碳化硅企业在征服海外新市场的路上任重而道远。事实上,只有不到3%的中国专利是在海外申请的。然而,通过比国内同行申请更多的国外专利,某些衬底厂商已经展露了他们未来的国际野心。

 

同时另外一份在今年(2022)5月份推出的专业的全球碳化硅专利分析中,也对目前碳化硅形式提出了非常多有意义的看法。

 

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全球碳化硅专利分析

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KnowMade.com对全世界碳化硅MOSFET、二极管及其他专利布局进行了调研。调研报告显示,继传统的几大龙头碳化硅芯片公司之外,中国和韩国正在碳化硅产业链上显示出雄心壮志。但是想在短期或中长期内完善整条产业链是有一定挑战的。众所周知,碳化硅晶圆的量产门槛非常高,目前能量产碳化硅晶圆的厂商并不多,要想将芯片打造为车规级芯片衬底更是充满挑战。这份报告通过全方位视察碳化硅芯片的专利布局(包括碳化硅晶锭,裸晶圆,衬底,器件,模块和开关电路)来向大家展示目前碳化硅产业链的面貌。

 

小结

“专利格局分析是一种强大的工具,可以在新兴行业进入市场之前识别新的参与者,同时还可以更好地了解他们在特定技术方面的专业知识和专有技术。” 总的来说,申请专利活动反映了企业的创新水平。中国企业正加快专利申请,以支持形成自主可控的完整国内供应链,大陆地区专利申请已经覆盖了整个产业链,并形成了较为活跃的知识产权合作网络。但是,总体而言,中国碳化硅企业的发展任重道远。通过这些技术专利的分析,我们也可以一窥国产碳化硅全貌,帮助客户及投资者更好地了解当前市场主要参与者的状态。

 

关于Knowmade

 

Knowmade 专注于专利分析和科学信息,提供技术情报和知识产权战略咨询服务。该公司通过让研发组织、工业公司和投资者深入了解其知识产权环境和技术趋势,为他们的业务发展提供支持。Knowmade 的专家提供现有技术检索、专利格局分析、科学文献分析、专利评估、知识产权尽职调查和自由运营分析。同时,该公司提出诉讼/许可支持、技术探索和知识产权/技术观察服务。Knowmade 的分析师将他们的技术和专利专长与强大的分析工具和专有方法相结合,提供相关的专利分析和科学评论。

 

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第三代宽禁带半导体材料前沿技术探讨交流平台,帮助工程师了解SiC/GaN全球技术发展趋势。所有内容都是SiC/GaN功率器件供应商派恩杰半导体创始人黄兴博士和派恩杰工程师原创。

 

黄兴博士

派恩杰 总裁 &技术总监

美国北卡州立大学博士,师承Dr. B. Jayant Baliga(IEEE终身会员,美国科学院院士,IGBT发明者,奥巴马授予国家技术创新奖章)与Dr. Alex Q. Huang(IEEE Fellow, 发射极关断晶闸管(ETO)的发明者)。10余年碳化硅与氮化镓功率器件经验,在世界顶尖碳化硅实验室参与美国自然科学基金委FREEDM项目、美国能源部Power America项目,曾任职于Qorvo Inc.、联合碳化硅。2018年成立派恩杰半导体,立志于帮助中国建立成熟的功率器件产业链。

 

派恩杰半导体

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商,国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一,参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT功率器件,其中SiC MOS芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1,其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。

 

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